两大工厂面临技术与许可考验
据了解相关计划的人士透露，三星电子正将其位于中国西安的工厂改造为生产286层NAND存储芯片，目标是在2026年12月达到每月5,000片晶圆，并于2027年12月增至每月40,000片。与此同时，SK海力士正推进大连工厂升级，计划将层数从192层提高到至少240层。中国竞争对手长江存储（YMTC）则在不断扩大市场份额。
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这项于2026年10月21日披露的计划涉及两家韩国公司的核心存储业务工厂。西安工厂单独就占三星全球NAND产量的约40%。两家公司均已确认，正在与华盛顿磋商并推进相关工作，但尚未公开披露详细生产计划。
美国方面的许可是关键条件，因为这些工厂依赖受美国出口管制的设备。华盛顿已将两家公司从豁免制度改为按年发放设备许可证，同时维持其既定政策：允许现有中国工厂继续运营，但不批准技术升级或产能扩张。
商业压力已显现。市场研究机构Omdia估计，2026年第二季度，长江存储在中国NAND市场的份额为38.5%，高于三星的33.5%和SK海力士的17%。两家韩国公司正努力在应对旨在限制中国获取先进芯片制造技术的规定时，推动重要生产基地现代化。
层数增加对存储意味着什么
NAND闪存即使在设备断电后也能保存信息。它用于存储智能手机和电脑中的照片、应用程序和文件，也为人工智能数据中心使用的固态硬盘提供存储空间。人工智能系统需要这类存储，以便在处理信息时调用大量数据。
制造商通过垂直堆叠存储单元，在芯片中容纳更多存储空间。增加层数可以提高存储密度，降低单位数据的存储成本。晶圆是制造多枚芯片时使用的薄圆片，之后芯片会从晶圆上分离并封装。
据了解其运营情况的人士透露，三星西安工厂目前生产约200层的NAND。升级至286层后，该厂的技术水平将更接近三星已在中国以外市场销售的产品。SK海力士若将层数从192层提高到240层，层数将增加25%。
产量和存储输出是相关但不同的指标。如果每枚芯片能容纳更多数据，工厂即使处理的晶圆数量相近，也能生产出更多存储容量。这有助于解释为什么用存储密度更高的新产品替代旧产品具有商业意义，即使公司表示工厂产能保持不变。
三星“Monami”项目计划将产量提高至八倍
三星的改造项目内部代号为“Monami”，名称取自法语短语“我的朋友”。该项目将在中国西北部的西安工厂引入采用286层技术的第九代V9 NAND。
据报道，升级产品的月产量计划从2026年12月的5,000片晶圆增至2027年12月的40,000片。随着工厂调整产品组合，V9计划产量将在一年内提高至原来的八倍。
三星表示，相关工作符合美国出口规定。该公司在声明中称，此次升级是为了响应客户需求，并表示将维持现有工厂规模：
此次升级旨在满足全球客户不断增长的需求，其中包括美国客户。公司不会扩大产能，也不会新建制造设施。
西安工厂在三星全球NAND产量中占有重要比重，因此此次改造的影响不只局限于中国。升级一座生产三星约五分之二NAND产品的工厂，可能有助于该公司向多个市场的客户供应存储密度更高的产品。
大连工厂连接中国升级与潜在的美国生产
SK海力士正在中国东北部的大连工厂安装设备，并表示正就相关工作与美国政府沟通。据了解其计划的人士透露，该厂将从生产192层产品转向生产240层或更高层数的NAND。
一位了解此事的人士表示，该公司获准在大连生产最高240层的芯片。目前尚未公开确认两家公司计划中的升级项目获得了多大范围的设备许可。
SK海力士于2021年收购英特尔的NAND业务，并由此取得大连厂区。被收购的业务现名为Solidigm，依靠大连工厂作为其唯一的NAND芯片制造基地，并正准备在美国首次公开募股。
SK海力士也可能寻求美国许可，在大连开展300层以上芯片的研发工作。这类工作有望为未来在美国生产相关技术做准备。该公司正与特朗普政府商讨在美国新建NAND工厂。
因此，大连工厂与两项相互关联的计划有关：升级现有中国生产基地，以及开发可能支持美国制造的技术。申请研发许可和讨论美国工厂仍处于考虑阶段，尚未转化为已完成的投资。
美国许可规定如何变化
美国国会研究服务处在2025年9月19日发布的半导体出口管制报告中记录了监管政策的变化。报告称，美国于2025年9月将三星和SK海力士在华指定设施移出经验证最终用户计划，该变化于2025年12月31日生效。
该计划通常称为VEU，允许指定设施在无需单独申请出口许可证的情况下接收某些受管制商品。两家公司在华工厂此前曾受益于涵盖部分设备出货的豁免。国会研究服务处的报告还指出，相关限制于2024年扩大，开始涵盖在中国运营的韩国公司。
据了解相关决定的人士透露，华盛顿随后批准了覆盖2026日历年的年度设备出口许可证。据称，这些许可旨在支持工厂继续运营和维护，而非允许不受限制地扩张。用于芯片生产、负责去除材料的美国刻蚀设备等，如今须在明确授权下运往中国。
美国工业与安全局仍在重申其2025年的立场：计划批准支持现有工厂运营的许可证，但不会批准产能扩张或技术升级。三星表示其工作符合相关规定，因此具体许可条款对改造计划尤为重要。
工厂改造的关键时间节点
此次升级是在所有权变化、设备限制和投资历经数年调整之后推进的。接下来的生产节点包括三星计划于2026年12月达到的目标，以及安排在2027年12月进一步扩大产量。
- 2021年：SK海力士收购英特尔的NAND业务，并由此取得大连工厂。
- 2022年：美国开始管制部分出口至中国的先进芯片和半导体制造设备。
- 2024年：华盛顿扩大限制措施，包括影响在中国运营的韩国芯片企业的规定。
- 2025年9月：三星和SK海力士的指定设施被移出VEU计划，该变化于2025年12月31日生效。
- 2026年：年度许可证涵盖支持两家公司在华运营的设备出货。
- 2026年12月：三星计划在西安每月生产5,000片采用286层V9 NAND技术的晶圆。
- 2027年12月：三星计划在西安将该产品的月产量提升至40,000片晶圆。
按年发放许可证意味着，设备获取情况必须与工厂生产计划一并考虑。三星据报计划将产量提升延续至2027年，超出了2026年许可证所覆盖的日历年度。
长江存储已在中国NAND市场取得领先
Omdia数据显示，长江存储正在扩大份额，而韩国竞争对手的份额则有所下滑。2026年第二季度，长江存储在中国NAND市场的份额达到38.5%，高于2025年全年的28%。三星的份额从36%降至33.5%，SK海力士则从20%降至17%。
此处将单个季度与全年数据进行比较，但仍反映出竞争格局变化的规模。长江存储最新的市场份额比其2025年全年数据高出10.5个百分点。2026年第二季度，三星和SK海力士合计占据50.5%的市场份额，低于2025年合计56%的水平。
根据Omdia数据，长江存储在全球NAND出货量中的占比也达到14%，排名第三。全球出货量指标与中国市场数据反映的是不同市场；在中国市场，长江存储目前领先三星5个百分点。
据了解长江存储产品的人士透露，其产品组合主要包括160层和232层NAND，也有少量294层产品。公司还计划推出300层以上产品。长江存储的进展为三星和SK海力士提供了切实的理由，促使它们升级在华工厂中的旧技术。
技术竞赛不止于中国工厂
三星已在中国以外市场销售最高286层的NAND，并于2026年8月展示了400层以上的原型产品。SK海力士销售的产品最高达到321层。两家公司计划在中国升级工厂，将缩小其各自生产网络内部的技术差距。
三星的西安项目将使该厂达到其目前在其他地区销售产品的层数水平。SK海力士计划将大连工厂的层数提升至至少240层，使其超越目前的192层；如果获准在当地开展300层以上产品的研发，也将为后续一代技术做准备。
中国存储芯片的发展也不止于长江存储。长鑫存储（CXMT）近日宣布推出一种新的晶体管架构，并称该技术有望使其领先于竞争对手。长鑫存储是中国建设本土存储芯片能力的另一环；与此同时，长江存储则是推动市场变化、直接挑战三星和SK海力士的NAND竞争对手。
国会研究服务处的报告指出，美国管制旨在实现经济和国家安全目标，包括限制获取先进芯片生产技术，并遏制可能支持军事用途的能力。报告还记录了一些利益相关方提出的相反担忧：限制措施可能促使中国在国内开发更多技术。两家公司的工厂决策，正处于这些政策目标与保持产品竞争力的商业需求之间。
人工智能需求提高现有工厂的价值
据报道，阿里巴巴、字节跳动和腾讯已向英伟达下达总额350亿美元的订单，而英伟达一直难以满足中国市场需求。这些订单涉及用于计算的处理器；三星和SK海力士在华升级则涉及计算系统所需的存储设备。两者都反映出人工智能基础设施支出庞大。
工厂改造是在投资大幅增加之后推进的。2025年，三星和SK海力士在中国三座工厂的总投资达到1.4871万亿韩元。3月有关两家公司加大在华投资的报道对这些投资作了详细介绍。三星在西安的支出增加了67.5%，SK海力士在无锡的投资翻了一倍多，在大连的支出则增加了52%。
无锡工厂生产DRAM，即系统运行期间用于暂存信息的存储器；西安和大连则生产用于持久存储的NAND。因此，先前的投资覆盖的是存储供应链的不同环节，而非单一产品。
新工厂通常需要三到五年才能建成、完成设备配置并全面投产。现有中国工厂拥有成熟的制造基础；如果设备到位、改造工作顺利推进，就能更快作出响应。对需要更多存储空间的客户而言，关键在于这些工厂能多快交付新产品，以及每片晶圆能提供多少存储容量。
要点
- 三星计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND。据报道，目标是在2026年12月达到每月5,000片晶圆，并于2027年12月增至40,000片。
- SK海力士正将大连工厂从192层升级至240层或更高，并可能申请许可，开展300层以上产品的研发。
- 两家公司表示正与华盛顿磋商。三星称其项目符合美国规定，不会扩大工厂产能。
- 此前的豁免在2025年12月31日之后由美国年度设备许可证取代。
- 2026年第二季度，长江存储占中国NAND市场的38.5%，高于三星的33.5%和SK海力士的17%。
- 人工智能存储需求和中国竞争对手的实力增强，加大了工厂现代化的压力；这些工厂仍是韩国两家公司业务的核心。
