光源原型机首次公开亮相
上海初创企业朗道随研在第26届中国国际工业博览会上展示了一台极紫外（EUV）光源原型机，并称其组件中有90%为中国制造；不过，公司预计还需三至五年才能实现量产。2026年10月的相关报道介绍了这次展示，将中国先进芯片制造努力中的一项具体成果带入公众视野：这种设备用于产生制造微小电路图案所需的光。
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这台展品是一种EUV光源，是光刻机的重要组件。完整的光刻机还需要精密光学系统、用于定位硅晶圆的平台、真空系统，以及确保这些部件协同工作的控制系统。朗道的时间表针对的是光源研发。工作人员表示，接下来的主要任务是提高输出功率，并确保设备能长期可靠运行。
公司代表称，这台原型机可用于芯片曝光测试。公司公布的产品规格显示，其低功率系统FlintNano的EUV输出功率超过15瓦，可连续运行超过100小时。公司没有公布独立测试结果，也未披露这台展出的原型机的详细曝光结果，因此其在实际芯片制造测试中的表现仍不明确。
这项研发之所以重要，是因为受出口限制影响，中国芯片制造商无法从荷兰供应商阿斯麦（ASML）购买EUV光刻机。国产光源未来或可支持替代供应链。目前，上海的展示表明，一家年轻企业正在研发最具挑战性的核心组件之一，而按照公司自己的估计，这项工作仍需多年才能完成。
上海展出了什么？
朗道的原型机在展会创新科技馆的上海展区占据了一个不大的位置。其略显粗糙的外观吸引了关注，但工作人员婉拒了正式媒体采访。其他有关展品的报道记录了公司代表作出的技术说明，包括其所称的国产组件占比和预计量产时间。
朗道表示，公司受上海技术创新中心邀请参展。工作人员称，此次亮相旨在展示中国团队正在研发EUV光源，并希望公众对这一需要时间的研发过程保持耐心。
光刻的原理是将图案曝光到硅晶圆上的感光涂层。后续制造步骤会把图案转化为电子电路的一部分。EUV光的波长约为13.5纳米，适用设备可以借此印制极精细的图案。产生这种光只是第一步：设备还必须准确引导光线，并确保曝光稳定一致。
公布的规格
朗道的FlintNano LPP-OXXO是目前公布了较详细规格的低功率系统。公司将FlintNano系列列为处于产品开发和商业化阶段，而其功率更高的FlintMicro-LPP系列已完成原理验证和可行性研究。
据称，朗道公布的规格包括：
- 额定功率为1,000瓦的驱动激光器，工作频率为1至20千赫兹。
- 转换效率超过2%，EUV输出功率超过15瓦。
- 连续运行超过100小时。
- 等离子体尺寸为60微米。
- 等离子体稳定性指标在3% RMS以内，能量输出稳定性指标为5%。
瓦特是功率单位，表示能量传递的速度。1,000瓦的激光器额定功率指驱动激光器提供的功率；EUV输出功率则指系统产生的有效光能。两者对应的是流程中的不同阶段。千赫兹是频率单位，1千赫兹即每秒1,000个周期。
RMS稳定性指标用于概括一段测量时间内的波动。对芯片制造商而言，实际关心的是每次曝光获得的光量是否足够稳定。波动可能影响晶圆涂层上电路图案成形的精度。
光是如何产生的
朗道采用激光产生等离子体技术，通常简称LPP。在这种方法中，高功率激光照射微小锡滴，产生温度极高、会发出EUV光的等离子体。等离子体是一种物质状态，其中原子失去了一部分电子。集光镜收集部分发出的光，并将其引向曝光系统。
阿斯麦的商用EUV光刻机也采用LPP光源。其工程难点在于让整个过程反复准确进行，收集足够的有效光，并保护敏感设备免受等离子体影响。稳定输送的锡滴、高功率驱动激光器和耐用的集光镜都必须协同工作。
朗道的业务布局也体现了这些需求。除EUV光源外，公司还介绍了其在高功率二氧化碳激光器和等离子体仿真软件方面的工作。激光器提供驱动硬件，仿真软件则帮助工程师研究等离子体的行为并调整运行条件。
中国的相关研究也包括其他技术路线，例如激光诱导放电等离子体和基于加速器的光源。这些项目各有不同的研发时间表。朗道公开给出的光源量产预期仍为三至五年。
为何功率和寿命至关重要
商用EUV系统需要光源提供数百瓦的功率，并能在高强度制造过程中可靠运行。朗道公布的低功率系统输出功率超过15瓦，处于不同的运行等级。要用于工厂生产，就必须在提高有效输出光量的同时保持设备稳定。
更多有效光线有助于光刻系统更快地完成晶圆曝光。这会影响工厂的晶圆处理量以及每次曝光的成本。可靠性同样重要：设备停机可能延误生产，也会降低高功率光源的实际价值。
集光镜面临的挑战尤为突出，因为它在高能等离子体附近工作。锡滴发生器也必须在正确的时间将锡滴送到准确的位置。任何一处发生细微变化，都可能影响到达晶圆的光线。
朗道称，设备可连续运行超过100小时，也就是四天多。工厂客户还需要了解维护间隔、部件更换情况，以及设备在反复运行周期中的表现。工作人员表示，剩余的工程工作直接关系到输出功率和稳定性。
90%的国产化占比意味着什么
公司代表称，原型机组件的国产化率为90%，大部分核心部件由公司自主研发。他们还提到，部分进口组件难以获取，而在某些领域，中国替代产品的稳定性仍有差距。
朗道没有说明90%这一比例是按组件数量、价值还是其他方法计算。对读者而言，关键问题是哪些部件仍难以替代，以及这些部件如何影响整个系统的可靠性。即使占比较小，仍可能包括保障设备连续运行所必需的部件。
工作人员没有透露仍依赖进口的部件。他们的解释表明，工程挑战涉及整个供应商网络，而非单一企业的组装工作。更好的国产部件还需要具备稳定一致的质量和可靠的使用寿命。
对中国晶圆厂而言，成熟的国产光源未来或可降低设备和替换部件供应受到限制的风险。目前的任务是把国产设计转化为能够长期稳定协同运行的部件。
获得芯片产业投资者支持的初创公司
朗道成立于2024年。创始人王浩及其团队依托清华大学气体放电与等离子体实验室的研究成果，专注于EUV光刻光源的LPP技术。
公司发展过程中进行了多轮融资。融资报道提及的投资者包括沃衍资本，以及与中国领先的芯片代工企业中芯国际有关联的中芯聚源。这些投资支持使这家初创企业与熟悉半导体设备和制造业的投资者建立了联系。
据报道，公司的发展历程从成立、融资到公开展示如下：
- 2024年：朗道成立并启动EUV光源项目。
- 2025年10月：与张江高科有关联的岁越创投提供天使轮融资。
- 2026年1月：公司完成新一轮天使融资。
- 2026年7月：朗道完成A轮融资。
- 2026年10月：光源原型机在上海工业博览会上首次公开亮相。
融资为公司采购设备、招募人员和推进研发提供了资源。朗道自己的时间表仍预计公开亮相后还需数年工程研发，这也显示出，为原型机提供资金支持与交付可重复生产的工业产品之间仍有距离。
出口管制持续推动国产研发
阿斯麦是完整EUV光刻系统的唯一商业供应商。相关限制禁止向中国销售这些系统，因此国产替代设备成为中国制造商的战略重点。阿斯麦于2013年收购Cymer，以增强其光源能力；如今的设备正是建立在长期工业研发基础之上。
中国芯片制造商仍在使用深紫外（DUV）设备进行生产。DUV使用的波长比EUV更长。制造商可以采用多重图形化技术，将复杂电路图案拆分到多个加工步骤中，以拓展这类设备的制造能力。更多加工步骤会增加制造复杂度和成本。
阿斯麦首席执行官克里斯托夫·富凯曾对中国追赶公司技术的速度表示怀疑。他在一次投资者电话会议上形容中国仍需跨越的差距：
还有非常非常长的路要走
朗道给出的三至五年预期，为其自身项目提供了更具体的时间表。若从报道所说的2026年10月亮相时间起算，并按预期推进，量产时间大致为2029年至2031年。这一时间表针对的是光源；整台光刻机还需要其他主要系统达到相互兼容的性能水平。
其他领域的进展有助于理解EUV的定位
中国供应商也在扩大光刻以外的制造环节设备供应。在同期于深圳举行的半导体展上，华海清科展示了离子注入机，拓荆科技展出了薄膜沉积设备，微导纳米则宣布推出面向存储芯片和逻辑芯片的碳膜沉积技术。
这些进展很重要，因为晶圆厂依赖多种设备。离子注入会改变硅特定区域的电学特性；沉积工艺则会添加薄材料层；光刻负责定义图案，引导后续加工。即使EUV研发仍在继续，这些环节的进步也能提高国产设备的使用比例。
伯恩斯坦研究公司预测，到2028年，国产供应商将在中国晶圆制造设备市场占据52%的份额，高于其估计的2026年28%。这是增加24个百分点的预测。该预测涉及的设备市场远比EUV光刻广泛。
朗道接下来值得关注的进展，将是在其公布的研发周期内提高输出功率、保持长期可靠性并改善曝光表现。中国网民也质疑，展品相关宣传是否旨在吸引融资和激发爱国热情。公布详细运行结果，将为潜在客户和投资者了解产品进展提供更具体的信息。
要点
- 朗道随研在上海展示了一台EUV光源原型机，公司工作人员称其国产组件占比为90%。
- 这次展出的是光源，它只是完整EUV光刻机所需的多个主要系统之一。
- 已公布的FlintNano规格包括EUV输出功率超过15瓦、连续运行超过100小时。
- 工作人员预计还需三至五年才能量产，主要工程任务是提高功率和可靠性。
- 公司成立于2024年，已吸引与中国半导体产业有关联的投资者。
- 针对阿斯麦EUV光刻机的出口限制，持续推动中国研发国产设备。
