随着中国长鑫存储不断发展，韩国存储芯片主导地位面临压力

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最后更新: February 3, 2026 • 16:03 UTC

争夺人工智能存储主导权的隐形较量

随着中国对韩国长期以来在存储芯片制造领域的主导地位发起前所未有的挑战，全球半导体产业正经历一场深刻的力量重估。数十年来，韩国巨头三星电子和SK海力士与美国竞争对手美光科技一道，掌控着全球90%以上的DRAM市场，构筑起一座看似坚不可摧的技术堡垒。然而，这一主导地位如今正面临最严峻的考验：一个雄心勃勃的本土挑战者获得数十亿美元国家资本支持，并在地缘政治紧迫感的推动下迅速崛起。

争夺人工智能存储主导权的隐形较量
国家扶持助力中国存储芯片领军企业崛起
衡量技术差距
工业间谍活动与商业秘密保护
市场份额争夺与价格压力
地缘政治管控与设备瓶颈
要点

长鑫存储（CXMT）于2016年成立，至今刚刚超过十年。如今，它已成为中国存储领域的代表企业，迅速从微不足道的参与者发展到占据全球DRAM市场约4%至5%的份额。该公司于2025年首次实现盈利，目前正筹备在上海证券交易所进行规模达42亿美元的大型首次公开募股，既表明其商业模式具备可行性，也凸显了其对国家战略的重要性。在华盛顿与北京之间技术竞争不断加剧的背景下，这一融资举措正值存储芯片成为人工智能供应链关键瓶颈之际。

尽管压力与日俱增，业内专家仍认为，韩国的技术领先优势相当显著，尤其是在训练大型语言模型、支持先进人工智能应用不可或缺的高带宽内存（HBM）领域。韩国芯片制造商率先于2020年将DDR5内存商业化，目前正向主要人工智能客户供应第五代HBM3E产品，同时筹备下一代HBM4产品。分析人士估计，韩国在标准DRAM领域领先约两至三年，在技术更复杂的HBM堆叠领域领先约三至四年。

国家扶持助力中国存储芯片领军企业崛起

长鑫存储的崛起得益于全球规模最大的半导体补贴计划之一——由国家主导的国家集成电路产业投资基金，通常称为“大基金”。该基金累计资本超过690万亿元人民币（约合950亿美元），体现出在与美国技术竞争日益激烈之际，北京实现半导体自给自足的决心。2024年启动的第三期基金专门瞄准先进人工智能芯片和HBM研发，同时着力加强更广泛的供应链。

按历史标准衡量，该公司的技术进步相当显著。根据其IPO招股说明书，长鑫存储在短短几年内便从早期研发转向量产，近期宣布面向个人电脑、服务器和移动设备的DDR5及LPDDR5X内存产品开始大规模生产。在HBM领域，长鑫存储于2024年末开始量产HBM2，并设定目标，计划到2026年生产HBM3级产品，2027年有望推出HBM3E。这一时间表将使其与全球领先企业的差距缩小至三至四年。

TechInsights的独立分析证实，长鑫存储目前能够在D1y和D1z节点制造DRAM，相当于约17至13纳米，其DDR5密度可与全球领先竞争对手2021年的产品相媲美。据报道，该公司正在研发低于15纳米的节点（D1α和D1β），这是生产HBM3E所必需的；它有可能效仿美光2021年的先例，在不使用极紫外光刻的情况下实现D1α节点。

尚明大学系统半导体工程教授李钟焕指出，中国的战略目标不止于眼前的商业成功。

中国与我们的技术差距显而易见。但中国的最终目标并非短期盈利。它的芯片雄心与其同美国的竞争直接相关，其中包括人工智能和军事能力。

衡量技术差距

技术差距的具体情况呈现出进步与局限并存的复杂图景。在标准DRAM制造领域，韩国及全球领先企业已进入第五代和第六代10纳米级节点，即1b和1c节点，从而实现更高密度和更优能效。中国企业目前主要采用1z节点，这属于较早一代的20纳米以下技术，良率较低、生产成本较高。

这一制程节点差异为韩国制造商带来了显著竞争优势。采用1b和1c节点生产的芯片性能更高、功耗更低，也更容易实现规模化经济生产；随着产品代际更迭，这些优势还会不断累积。韩国工程院估计，两者差距约为两至三年。与此前长达十年的落后相比，这一差距已经缩小，但在每一代产品都能带来显著能效提升的半导体行业中，仍然相当明显。

在NAND闪存领域，差距似乎较小，但依然突出。市场领头羊三星和SK海力士目前大规模生产286层至321层芯片，属于业内最先进的产品。以长江存储（YMTC）为代表的中国制造商已加快发展，能够生产232层NAND芯片。值得注意的是，YMTC开发出了混合键合技术，在某些应用中被认为比韩国竞争对手的技术更先进。这表明，中国的进步虽然并不均衡，但在特定技术领域确实取得了突破。

在高带宽内存领域，差距明显扩大，韩国的主导地位也最为突出。HBM生产需要通过硅通孔技术，将DRAM芯片垂直堆叠，以提升性能和能效。这一领域被普遍视为存储器制造中技术壁垒最高的环节。长鑫存储虽已宣布进军该市场的目标，但韩国芯片制造商已在大规模交付HBM3E，并为推出HBM4做准备。韩国的领先优势并不主要取决于制程节点的宣传指标，而是来自堆叠精度、热控制和良率稳定性；这些能力是在与人工智能芯片设计商多年的紧密合作中不断打磨出来的。

工业间谍活动与商业秘密保护

竞争压力也在围绕知识产权保护的激烈法律对抗中显现。2025年12月26日，韩国检方起诉10人，其中包括三星电子前高管和工程师，指控他们涉嫌向长鑫存储泄露先进的10纳米DRAM制造技术。5名嫌疑人仍被羁押，另外5人虽被起诉，但获准保释。这是韩国历史上最重大的工业间谍案件之一。

首尔中央地方检察厅表示，被告人在离开三星后，曾在长鑫存储担任关键研发职务。调查人员发现，一名离职研究人员手工抄录了数百项专有DRAM工艺信息，包括工艺顺序、设备规格和良率优化等关键细节。据称，这些手写笔记被用于在长鑫存储重建并改造三星的制造流程，帮助这家中国企业于2023年成为国内首家生产18纳米DRAM芯片的厂商。

检方估计，仅2024年，三星因此蒙受的经济损失就约达5万亿韩元（35.6亿美元），销售损失长期来看可能高达数十万亿韩元。调查还发现，长鑫存储通过一家供应商从SK海力士获得了更多DRAM技术，进一步加快了研发进程。据报道，被起诉人员在长鑫存储领取的年薪是他们此前在三星收入的三至五倍，每年可达数十亿韩元。

东亚大学教授沈大勇曾在SK海力士负责DRAM业务长达26年。他强调，单靠资本无法突破技术壁垒。

半导体业务不是光靠钱就能掌握的。行业快速的升级换代意味着，传统技术在达到巅峰后很快就会失去相关性，因此，在低端市场占据主导地位的长期经济影响有限。

市场份额争夺与价格压力

竞争格局正在以可量化的方式重塑市场结构。根据Counterpoint Research发布的2025年第三季度数据，SK海力士以34%的市场份额领跑整体DRAM销售，三星以33%紧随其后，美光占26%。长鑫存储的市场份额迅速升至5%，高于2024年末的3%，在成熟市场中展现出强劲势头。

在战略意义重大的HBM领域，SK海力士占据57%的市场份额，三星份额迅速升至22%，美光则为21%。三星份额上升，此前该公司在上半年因对华出口受限而举步维艰，这显示出地缘政治管控带来的市场波动。据报道，随着人工智能需求持续激增，供应商的HBM产品订单已排满至2026年。

长鑫存储采取激进定价策略来争取市场，所提供的DDR4 DRAM芯片价格几乎只有成熟竞争对手的一半。这种低价策略挤压了三星、SK海力士和美光的利润率，同时让下游消费者受益。拆解分析显示，长鑫存储的16Gb DDR5产品位元密度与美光2021年的产品相近，但芯片面积更大，良率也未经验证，这可能意味着其制造成本更高。

需求环境有利于扩大产能。预计2025年，中国云服务提供商腾讯、百度和阿里巴巴的合计支出将达到319.8亿美元，较2024年增长近40%。人工智能热潮带动韩国半导体出口在2025年同比增长22.2%，达到创纪录的1734亿美元，竞争也随之加剧。

地缘政治管控与设备瓶颈

这场技术竞赛正处于日益收紧的出口管制和国家安全限制网络之中。2024年12月，美国公布了新的出口管制措施，专门限制中国获取高带宽内存以及生产HBM所必需的半导体制造设备。这些规定将140多家中国芯片制造商和设备制造商列入美国商务部实体清单，意在利用HBM这一瓶颈遏制中国人工智能的发展。

这些限制给长鑫存储带来了直接的运营挑战。进驻该公司的美国半导体设备企业维护人员已接到离开指示，影响了DRAM和HBM的研发进度。尽管长鑫存储囤积了足够的设备，预计能够维持运营至2026年或2027年，但现有出口管制限制了其在无法获得极紫外光刻设备的情况下，进一步开发先进制程并扩大产能的能力。

中国仍在努力开发国产EUV技术。据报道，一种目标是到2028年生产出可用芯片的原型设备已经完成，但分析人士认为，商业化生产要到2030年前后才能实现。如果无法获得EUV设备，长鑫存储可能会面临与其他中国晶圆代工厂类似的挑战，在低于15纳米的节点提升良率、缩小芯片面积都将受到阻碍，最终可能限制其达到韩国和美国竞争对手能效水平的能力。

进入全球市场也面临额外限制。截至2026年初，长鑫存储仍未被列入实体清单，但据报道，华盛顿自1月起已讨论将其列入清单，这将给该公司的商业活动带来重大风险。即使未被列入清单，技术差距和地缘政治紧张局势也会让外国企业不愿在其人工智能加速器中采用长鑫存储的HBM。尽管技术不断进步，该公司的客户仍主要局限于中国国内市场。