领先优势消退，研发支出面临压力
在一项以美国为基准（100%）的先进存储技术评估中，韩国和中国均得分95%；在面向人工智能设计的芯片领域，中国则以91%对85%领先韩国。这些基于2024年评估的数据，使两项定于2027年启动、预算合计达1.1538万亿韩元的韩国大型半导体研发项目受到更多关注。
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韩国共同民主党议员金南局于2026年10月23日公布了这些发现。他审阅了科学技术信息通信部和韩国科学技术企划评价院（KISTEP）提交的数据，并呼吁加快研发资金支出、开展贴合产业需求的人才培训并调整监管规定，以应对中国制造商不断扩张的局面。
评估估算，韩国在存储技术上落后领先国家0.6年，中国落后0.5年。对于能耗更低的高性能人工智能芯片，韩国和中国与领先水平的差距分别估计为1.5年和0.9年。
韩国制造商在先进制程以及与人工智能处理器配套使用的存储器方面仍拥有显著优势。不过，中国正从多个方面迎头赶上，包括研发能力、国内市场份额以及工厂可供应的芯片产量。
因此，三星电子和SK海力士面临的挑战不只是守住最先进芯片的领先地位。它们必须在持续改进制造工艺的同时，与不断壮大的中国供应商竞争，并应对美国对其中国工厂设备的限制。
技术评分衡量什么
KISTEP在2026年2月5日发布的《2025年技术评估》中介绍了评估流程，出版编号为기관2025-022。研究于2025年1月至12月开展，由郑义镇负责。
该机构评估136项技术，将韩国与美国、欧盟、日本和中国进行比较。专家先收到专利和研究论文分析资料，然后完成两轮德尔菲调查。这是一种结构化流程，由专家评估某一主题，并在连续多轮调查中重新审视自己的判断。
百分比得分表示对某项技术相对于领先者所处位置的评估。以年为单位的差距则估算达到领先水平所需的时间。专家分别判断这两项指标，因此韩国和中国即使同为95%，估算的年数也略有不同。
存储器类别涵盖高密度存储器和阻变存储器等技术，包括旨在提升容量、速度和能效的技术。阻变存储器通过改变电阻来存储信息。这一类别的范围不局限于各家公司销售的DRAM产品。
中国追平存储技术，韩国缩小人工智能芯片差距
KISTEP于2025年2月19日发布的半导体技术简报提供了更早的参照。该简报由郑义镇和申东平撰写，记录了2022年存储技术评估中韩国得分95%、中国得分90%。2024年的数据则显示，双方均为95%，此前五个百分点的差距由此消失。
人工智能半导体的发展走势有所不同。韩国得分从2022年的80%升至2024年的85%，中国则从90%升至91%。韩国的差距从10个百分点缩小到6个百分点，但中国得分仍然更高。中国在这一类别中的领先在2022年就已显现。
人工智能处理器负责执行训练模型和生成答案所需的计算。其性能取决于能完成多少有效计算，以及消耗多少电力。存储器为处理器提供所需数据，因此这两项技术密切相关，但代表不同的产业优势。
在范围更广的半导体与显示技术类别中，2024年中国得分为91.5%，韩国为91.2%。2022年和2024年两轮评估所涵盖的技术及评估框架有所变化，因此，要进行清晰的历史比较，最好结合各个类别及其定义分别考察。
工厂实力让韩国具备另一种优势
2024年对39名韩国半导体专家开展的一项调查，有助于解释该行业竞争力为何表现不一。调查结果于2025年2月刊载在KISTEP的简报中，显示中国在存储器基础能力方面领先韩国，而韩国将这些能力转化为商业产品的表现仍略胜一筹。
在半导体生产周期中，韩国的制程技术得分为86.9%，中国为81.0%；量产方面，韩国得分87.0%，中国为81.2%。中国在基础研究和设计方面得分更高：基础研究为81.1%，高于韩国的78.8%；设计为80.2%，高于韩国的79.4%。
这些调查结果是另一套评分方式下的平均值，描绘出一种实际分野：中国在某些未来发展基础领域实力更强，而韩国则更擅长可靠、大规模地制造芯片。
三星、SK海力士和美国制造商美光合计占据全球DRAM市场90%以上份额。在一份说明其于2025年首度实现盈利的市场快照中，长鑫存储（CXMT）的份额约为4%。
韩国业界专家估计，中国商用DRAM技术落后约两到三年；东亚大学教授沈大勇则认为差距超过五年。他们评估的是制造能力和先进产品，而KISTEP给出的0.6年和0.5年衡量的是各国与共同技术领先者之间的评估差距。
先进人工智能存储器为何仍难以复制
沈大勇曾在SK海力士工作26年，参与DRAM研发以及高带宽存储器（HBM）早期发展。HBM将存储芯片垂直堆叠，以便快速向人工智能处理器传输大量数据。
韩国制造商正在供应HBM3E，并为HBM4做准备；长鑫存储则公布了HBM3级产品计划。生产这类堆叠芯片需要精密互连、散热管理，并确保多层结构质量稳定。
沈大勇现任东亚大学下一代半导体专业教授。他谈到了仅靠投资难以突破的限制：
半导体产业不是光靠钱就能掌握的。
先进DRAM的生产还取决于能否获得设备。沈大勇指出，无法获得极紫外光刻（EUV）设备是制约中国发展的重要因素。EUV设备利用波长极短的光刻出微小芯片结构。通过重复光刻步骤，较旧设备也能实现更精细的加工，但随着结构尺寸缩小，工艺会变得更加复杂。
行业比较显示，韩国领先的DRAM制程处于1b和1c世代，中国企业则主要处于更早的1z世代。沈大勇认为，从1b世代起，EUV实际上已不可或缺。要具备商业成本竞争力，良率通常也需达到约80%至90%，也就是说，所制造的芯片中必须有相应比例能够正常工作。
堆叠技术为中国提供了另一条进步路径，但也带来了材料和封装方面的要求。包括Resonac和Namics在内的日本供应商，在HBM所用保护材料方面占据重要地位。韩国存储器制造商也积累了数十年经验，能够与微软、谷歌、苹果和英伟达等客户共同开发并验证产品。
NAND竞争已在改变中国市场格局
中国在NAND闪存领域的进展十分明显。NAND闪存能够在设备关机后保留数据。在一份结合工厂升级计划的市场对比中，长江存储（YMTC）在中国NAND市场的份额从28%升至38.5%。三星份额从36%降至33.5%，SK海力士则从20%降至17%。
因此，三星和SK海力士的合计份额从56%降至50.5%，减少5.5个百分点；长江存储则增加10.5个百分点。这些数据针对的是中国市场；三星顾问景桂铉另行估计，中国供应商在全球NAND市场的份额约为20%。
三星西安工厂约占该公司全球NAND产量的40%。其升级计划目标是生产拥有286层的V9 NAND，初期年末产能为5,000片晶圆，至2027年底增至40,000片。晶圆是用于制造大量芯片的圆片。
三星还推出了层数超过400层的V10 NAND。西安工厂的计划显示，随着设备、投资和许可条件影响升级进度，同一家公司的不同工厂可能采用不同世代的技术。
SK海力士大连工厂生产192层NAND，已获美国批准升级至240层。进一步升级至300层以上的计划则有待许可。美国2025年出台的一项措施收紧了外国芯片制造商在中国扩建或升级工厂所需的许可规定。SK海力士还在与英特尔谈判，商讨在美国建立NAND生产设施。
中国制造业的进展因工艺而异。一项引用韩国工程院数据的比较显示，中国NAND产量达到232层，韩国领先产品为286至321层；同时指出，长江存储的混合键合技术比韩国竞争对手更先进。混合键合可将芯片表面紧密连接，帮助制造商组合多层结构。
中国新增产能或在2028年前后冲击价格
曾于2021年12月至2024年5月执掌三星半导体业务的景桂铉警告称，中国快速扩张可能在2028年前后削弱存储器行业的景气度。他表示，中国企业计划在三年内新增30万片晶圆的产能，市场份额可能达到约12%至13%。
长鑫存储2026年第一季度营收为508亿元人民币，同比增长719%，并预计上半年营收为1,100亿至1,200亿元人民币。DRAM价格上涨推动了其增长。
景桂铉还指出需求方面存在风险。大型科技公司正在大举投资人工智能基础设施，但如果财务回报走弱，可能会减少投资。他以三星高管顾问身份表示：
到2028年前后，如果投资回报走弱，它们可能别无选择，只能缩减支出。
如果客户支出放缓时供应增加，将给价格和工厂利润带来压力。景桂铉还指出，人工智能处理器可能转向针对特定客户和数据中心设计的产品，这将增加对适配这些系统的定制存储器的需求。
2026年早些时候，三星还面临另一项生产风险：其工会计划于5月21日至6月7日举行罢工，涉及约5万名员工。KB证券估计，如果罢工如期进行，全球NAND供应可能受到2%至3%的影响，DRAM供应可能受到3%至4%的影响。这些数字是以拟议行动如期发生为前提的估算。
两项大型项目将于2027年启动，此前已有相关计划
金南局引用的科学技术信息通信部数据显示，超精细堆叠半导体技术开发项目预算为1.0638万亿韩元，下一代化合物半导体基础研究项目预算为900亿韩元，涵盖极端环境应用。两个项目均计划于2027年启动。
金南局认为，面对中国在国家支持下不断扩张的局面，这一时间安排过于缓慢。他以长鑫存储为例，指出这家DRAM制造商在大量国家支持下加快了研发和量产进程。
不过，韩国的研发计划已通过此前的举措逐步推进。科学技术信息通信部于2023年制定半导体未来技术路线图，2024年将其扩展至59项技术，并于2026年重组为3个领域、10个组、50项核心技术和90项详细组成技术。
主要时间节点显示，评估与投资计划如何交错推进：
- 2022年：韩国存储技术得分95%，中国为90%；中国在人工智能半导体领域以90%对80%领先。
- 2023年：科学技术信息通信部制定半导体未来技术路线图。
- 2024年：包括先进封装在内的三个相关研发项目启动；金南局随后引用的评估显示，韩国和中国在存储技术方面并驾齐驱。
- 2025年：另外两个项目启动，包括下一代光学封装项目。KISTEP于2月19日发布半导体分析报告。
- 2026年：KISTEP于2月5日发布评估报告。三个涵盖汽车芯片、先进陶瓷材料和光计算的路线图项目计划于年内启动。
- 2027年：堆叠半导体和化合物半导体项目计划启动。
这项安排表明，两项大型项目是在已有计划持续推进的基础上启动，而非韩国研发工作的起点。金南局引用的科学技术信息通信部数据将项目启动年份定为2027年，但没有给出具体启动日期或详细支出时间表。
人才与研究基础也是竞争的一部分
KISTEP的半导体简报指出，技术人才流失是影响韩国未来技术地位的首要问题。报告称，攻读高阶学位的学生减少，经验丰富的员工则在海外寻求更好的工作条件和薪酬待遇。
简报还列出2022年半导体研发支出占企业营收的比例：韩国为9.5%，美国为19.5%，欧洲为14%，日本为12%，台湾为11%。这些比例让韩国的投资讨论与公共项目何时启动的问题联系起来。
KISTEP建议加强芯片设计、制造和封装之间的联系，同时支持设备、材料和公共研究基础设施。调查结果也明确指出了优先事项：保护韩国的工厂技术优势，同时加强其得分较弱的基础研究和设计能力。
对工程师而言，这意味着培训内容要适应日益复杂的设备和生产工艺。对规模较小的供应商而言，这意味着有机会与大型制造商共同开发材料、工具和封装技术。金南局关于提前执行预算和开展实用培训的呼吁，也从政策层面回应了同样的压力。
韩国目前的地位兼具商业领先优势与不断缩小的研发优势。中国工厂不断扩张，即使韩国企业仍掌握最先进产品，也会加剧竞争。研发项目时间安排、技术人才和工厂升级方面的决策，将决定这些优势能够转化为盈利生产多久。
要点
- 在2024年先进存储技术评估中，韩国和中国均得分95%。
- 中国在人工智能半导体领域以91%对85%领先，尽管韩国较2022年缩小了差距。
- 在另一项专家调查中，韩国制造商的制程技术和量产得分仍更高。
- 中国正在扩大NAND市场份额和产能，而先进DRAM和HBM的制造仍面临较高难度。
- 韩国两项研发项目预算合计1.1538万亿韩元，计划于2027年启动。
- 三星顾问景桂铉警告称，中国供应扩张及客户支出走弱可能在2028年前后给存储器市场带来压力。
