更小的存储单元引发全球抛售
中国长鑫存储技术有限公司计划在2026年底前推出一款新型服务器内存产品，采用的架构有望将内存密度提高约30%。这一消息导致成熟芯片制造商股价大幅下跌，尽管要将这一设计转化为可靠的大规模量产产品，仍需进一步努力。
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长鑫存储总裁曹看宇10月10日在上海的一场行业会议上介绍了相关进展。该公司正在研发一种名为4F²的设计，可缩小每个存储单元占用的空间。其计划推出的产品面向数据中心服务器，因此将与三星电子、SK海力士和美光科技展开更直接的竞争。
10月13日，SK海力士股价收跌约10%，三星下跌7.4%，两者均跌至8月以来最低水平。韩国综合股价指数（Kospi）下跌5.5%。美光周一跌约3.9%后，周二交易中又下跌3.62%。
跌势蔓延至芯片设备供应商、存储企业及其他科技股。投资者正在重新评估，中国制造商挑战那些受益于人工智能计算需求的企业，速度究竟会有多快。
长鑫存储眼下瞄准的是常规服务器内存。高带宽内存（HBM）是与高性能人工智能处理器搭配使用的专用内存，在这一领域，老牌竞争对手仍占据更有利的位置。长鑫存储面临的商业考验，是能否以有竞争力的成本生产足够多的可靠芯片。
通俗理解4F²的含义
DRAM是动态随机存取存储器的简称，用于保存计算机当前正在使用的信息。服务器需要这种工作内存，让数据在处理器执行任务时保持在其附近。每块芯片都包含数量庞大的微型存储单元。
业界普遍采用的6F²布局中，每个单元占用的面积相当于最小特征尺寸F的平方的六倍。4F²布局则将面积缩小到同一平方的四倍。在特征尺寸不变的情况下，单个存储单元本身占用的空间约减少三分之一。
更小的存储单元可以让芯片容纳更多信息。不过，整个产品能获得多少提升，还取决于其他电路占用的空间以及制造方案。晨星分析师于静杰估计，如果长鑫存储的架构成功商业化，其内存密度有望提高30%。
咨询公司赛迪顾问副总监张晓露估计，每片晶圆产出的比特数有望提高30%至50%，单个存储单元的面积则可缩小约33%。这些估算反映的是该设计的潜力，而非成熟量产后的实测产出。
三星和SK海力士也在探索4F²设计。SK海力士于2025年公布了研发路线图。因此，对于评估现有供应商技术领先优势的投资者而言，长鑫存储计划推出产品的时间尤其敏感。
长鑫存储如何改变制造工艺
曹看宇介绍了一种名为垂直环绕栅（VSG）的方案，通过改变控制存储单元的晶体管排列方式，改善器件结构。公司预计，这种结构可减少漏电以及其他随着存储单元缩小而更难控制的问题。
漏电是指电流在非预期位置流失。在存储芯片中，控制电流有助于存储单元可靠地保存信息，同时减少电力浪费。只有当更小的设计能够让存储单元持续稳定工作时，它才真正有用。
长鑫存储还计划将存储单元及其外围电路分别制造在不同硅晶圆上，再通过混合键合将两者连接起来。外围电路负责选择存储单元，以及将信息写入和读出。混合键合通过极其精密的电气和物理连接，将分别制造的部件接合起来。
曹看宇表示，将这些制造步骤分开是公司方案的核心。张晓露称，VSG与晶圆级键合相结合，有望在不依赖极紫外光刻（EUV）的情况下提高密度。EUV是一种用于印制微小芯片图形的先进技术。
产品推出后，还要接受更长时间的量产考验
预计长鑫存储将在2026年底前推出采用新架构的DDR5 RDIMM。DDR5是一代计算机内存，RDIMM则是一种常用于服务器的内存模组。产品必须能够与客户现有的设备和系统可靠配合运行。
目前，生产良率仍不明朗。生产良率指制造出的芯片中达到可销售标准的比例。曹看宇没有披露详细的良率数据，也未公布大规模商业交付的明确时间表。即使设计本身前景良好，如果生产过程中产生大量缺陷芯片，成本仍可能很高。
晨星分析师于静杰谈到了竞争机遇和制造挑战：
如果能率先在DRAM生产中成功采用4F²架构，长鑫存储相对于同行的竞争地位将大幅提升，
于静杰还预计，从产品亮相到实现具有可行良率的商业化之间会有明显间隔，并指出，要在大规模生产中保持稳定一致的结果并不容易。
张晓露表示，服务器内存通常需要18至24个月的验证时间。在此期间，客户会检查产品是否符合兼容性、可靠性和运行方面的严苛要求。因此，产品推出后还需经过进一步测试和客户采用，才能实现广泛部署。
为何市场反应波及内存制造商以外的企业
日本软银集团下跌8.5%，半导体设备供应商东京电子下跌7.2%，测试设备制造商爱德万测试下跌2.9%。日经225指数下跌1.8%，显示抛售已蔓延至并非直接与长鑫存储竞争的企业。
欧洲股市也走低。阿斯麦下跌3.3%，意法半导体和英飞凌均下跌约5%。存储企业闪迪、希捷和西部数据也纷纷下跌。长鑫存储自身周二在上海收跌2.8%。
此次抛售发生在美国股市周一已表现疲弱之后，当天纳斯达克综合指数下跌0.44%。瑞士私人银行联合银行集团高级股票顾问凌伟森表示，投资者正在获利了结人工智能概念股，尤其是此前表现强劲的内存企业。
瑞联全球顾问公司首席市场策略师菲利普·伍尔认为，抛售的规模与眼前的竞争威胁并不相称。他指出，长鑫存储要实现新设计的大批量制造，仍有许多工作要做。
次日交易显示，SK海力士跌幅收窄，10月14日下跌1.66%。投资者一方面权衡竞争格局可能出现的长期变化，另一方面也在考虑芯片认证和扩大产能这一进程在实际操作中要慢得多。
为何HBM仍是另一场竞争
HBM能够在内存与处理器之间快速传输大量数据。它对人工智能系统尤为重要，因为高性能处理器需要持续获取数据，才能避免闲置。其生产涉及要求严苛的制造、堆叠和封装工艺。
长鑫存储计划推出的DDR5服务器产品，面向数据中心内存需求的另一部分。通用服务器内存服务于整个系统，而HBM则为英伟达人工智能加速器等高要求处理器提供尤其快速的数据访问。
伍尔谈到了老牌供应商在HBM领域的优势：
更重要的是，我们谈的甚至不是HBM，而韩国芯片制造商在这一领域仍无可争议地占据主导地位。在可预见的未来，长鑫存储或其他企业几乎构不成威胁，
张晓露表示，主要海外制造商已将产能集中用于HBM3e和HBM4，而常规服务器DDR5供应仍然紧张。这为另一家可靠的通用服务器内存供应商创造了潜在机会，尤其是对寻求国内供应来源的中国客户而言。
凌伟森也认为，长期竞争挑战与当前制造能力之间存在差别。他表示，中国内存企业可能会随着时间推移影响供需平衡，但短期内仍将面临技术难题。
市场份额上升，研发日程密集
Counterpoint Research估计，长鑫存储的全球DRAM营收份额从2025年第二季度的4%升至2026年第二季度的10%，成为全球第四大DRAM供应商。汇丰的一项分析也估算，其份额约为10%，高于一年前的约4%。
这意味着其份额增加了6个百分点，达到此前的2.5倍。长鑫存储在推进下一代架构研发的同时，也在扩大商业基础。公司还在推进LPDDR6手机内存的研发，时间安排大致与三星和SK海力士相近。
长鑫存储近期公布的消息显示，多项计划正在同步推进：
- 2026年9月20日：公司宣布第五代DRAM工艺平台G5实现量产，并推出大容量LPDDR5X内存。
- 2026年9月28日：公司宣布计划投资241亿元建设研发项目，并投资108亿元建设二期测试基地。
- 2026年10月10日：曹看宇在上海介绍了DRAM器件、4F²架构和混合键合方面的进展。
- 2026年底前：长鑫存储计划推出新型服务器内存产品。
G5平台采用四次曝光进行图形化，存储阵列的有源区半间距达到11.95纳米，这是衡量阵列内部间距的指标。两项计划投资合计349亿元，涵盖工艺开发、封装、测试和模组组装。
出口管制影响扩张路径
长鑫存储成立于2016年，总部位于合肥，受益于中国庞大的国内电子产品市场。但出口限制约束了其获取先进制造设备的能力，其中包括针对阿斯麦最先进EUV系统的限制。
该架构更加依赖器件排列方式，以及将分别制造的晶圆连接起来。张晓露表示，它有望在不使用EUV的情况下提高密度，同时带动对精密刻蚀、沉积、键合和抛光设备的需求。
竞争对手的设备采购和生产计划则各有不同。日本已承诺提供最高5360亿日元资金，支持美光在广岛的扩建项目，用于先进DRAM研发和生产，最早计划于2028年开始出货。该项目将配备EUV设备及其他制造工具。
竞争也伴随法律纠纷。韩国检方已对10人提起诉讼，指控其涉嫌泄露三星技术，相关制造技术据称流入长鑫存储。检方指称，转移的信息帮助长鑫存储加快DRAM生产，并支持HBM研发。相关指控仍在刑事诉讼程序中审理。
客户与估值推高市场关注
长鑫存储7月在上海证券交易所科创板上市，上市首日股价一度飙升近466%，短暂成为中国内地市值最高的上市公司。此后，其股价一度较首日公布的49元发行价低约4%。
公司估值约为3.46万亿元人民币，腾讯估值则为3.87万亿元。长鑫存储的估值约相当于腾讯的89%，显示投资者对这家仅成立十年的内存制造商抱有多高期待。
客户是否采用其产品，将决定长鑫存储的商业影响力能扩大到何种程度。苹果一直在测试长鑫存储的DRAM，计划用于在中国销售的设备，并正在寻求美国政府批准，以扩大使用范围。目前尚未披露已完成的供货协议或更广泛的使用许可。
花旗分析师认为，即使美国限制对美直接销售，向欧洲等地区数据中心供货也可能影响美光。供应商可以通过其他地区的客户施加竞争压力，改变哪些制造商获得订单，以及它们能够收取的价格。
对于服务器运营商而言，如果长鑫存储能够稳定、大量地交付可靠产品，市场将多出一个常规内存供应来源。对于成熟制造商而言，则需要在竞争常规DRAM和更专业内存的同时，守住技术领先优势。接下来的关键节点包括计划中的产品推出、客户验证和稳定量产。
要点
- 长鑫存储计划在2026年底前推出采用高密度4F²架构的服务器内存。
- 10月13日，SK海力士下跌约10%，三星下跌7.4%，抛售随后波及全球科技股。
- 该设计将垂直晶体管结构与分别制造、再通过混合键合连接的晶圆相结合。
- 分析师认为内存密度有望提高，但生产良率和客户认证将决定商业化进展。
- Counterpoint估计，长鑫存储的DRAM营收份额从2025年第二季度到2026年第二季度由4%升至10%。
- 计划推出的产品面向常规服务器内存，而成熟供应商在人工智能系统所用的HBM领域仍占据更强优势。
